我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能全球領(lǐng)先 半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)需求強(qiáng)勁 EUV前景廣闊 國(guó)產(chǎn)多領(lǐng)域加速突破

前言：

光刻膠是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料，其性能對(duì)芯片性能和良率產(chǎn)生直接影響。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能全球領(lǐng)先，半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)需求強(qiáng)勁。隨著半導(dǎo)體工藝和制程升級(jí)，高端光刻膠需求迅速增長(zhǎng)，其中EUV光刻膠占比仍然較小，增長(zhǎng)空間廣闊。

半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)壁壘高，市場(chǎng)主要被美日企業(yè)占據(jù)，JSR、東京應(yīng)化、美國(guó)杜邦、信越化學(xué)、住友及富士膠片等頭部廠商在半導(dǎo)體光刻膠的高端領(lǐng)域中占據(jù)極高的市場(chǎng)比重。近年來(lái)，隨著中國(guó)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)過(guò)程中加速驗(yàn)證導(dǎo)入本土光刻膠以及上游樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠廠商迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇，目前在 G/I 線、KrF、ArF 等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)一定量產(chǎn)。

一、光刻膠及其相關(guān)輔助材料占比超10%，是第四大半導(dǎo)體材料

根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)發(fā)展深度分析與投資前景研究報(bào)告（2025-2032年）》顯示，光刻膠是一種圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，依賴于光化學(xué)反應(yīng)，通過(guò)曝光顯影和刻蝕等工藝，將掩模板上所需的微細(xì)圖形精確地轉(zhuǎn)移到待加工的基片上。

光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價(jià)值中的占比為5%，其輔助材料占比7%，合計(jì)達(dá)到12%。光刻膠及其相關(guān)輔助材料成為繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。

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二、我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能全球領(lǐng)先，半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)需求強(qiáng)勁

半導(dǎo)體制造的核心材料--光刻膠的性能對(duì)芯片性能和良率產(chǎn)生直接影響。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能全球領(lǐng)先，半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)需求強(qiáng)勁。數(shù)據(jù)顯示，2023年,中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)能占全球的比重達(dá)20%左右,中國(guó)大陸半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模占全球的23.1%。

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隨著中國(guó)晶圓廠密集投產(chǎn)，發(fā)力半導(dǎo)體成熟制程，預(yù)計(jì)2028年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.36億美元，2023-2028年CAGR為13.8%。

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三、半導(dǎo)體工藝和制程升級(jí)下高端光刻膠需求迅速增長(zhǎng)，EUV光刻膠前景廣闊

根據(jù)不同的曝光光源波長(zhǎng)，半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分為g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠、EUV光刻膠五類。

G/I線光刻膠是較早的光刻膠技術(shù)，成熟應(yīng)用于汽車電子等領(lǐng)域；KrF光刻膠主要應(yīng)用于0.25um及以下各制程，特別是在3D NAND堆疊架構(gòu)的制作中；ArF光刻膠在浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)和負(fù)顯影工藝等技術(shù)的助力下，將先進(jìn)制程從45nm推進(jìn)至7nm工藝；EUV光刻膠是最新一代技術(shù)，應(yīng)用于7nm以下集成電路的制造，在邏輯芯片和存儲(chǔ)DRAM芯片的生產(chǎn)中十分重要。

隨著半導(dǎo)體工藝和制程升級(jí)，高端光刻膠需求迅速增長(zhǎng)。其中KrF光刻膠受3D NAND堆疊層數(shù)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，ArF光刻膠用量增加受多重光刻工藝增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，光刻道次的增多將使EUV光刻膠需求增加。

根據(jù)數(shù)據(jù)，2023 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體光刻膠中 ArF 和 KrF合計(jì)占據(jù)超八成的市場(chǎng)份額，其中ArF光刻膠達(dá)44.28%，是 2023 年國(guó)內(nèi)唯一正增長(zhǎng)的光刻膠種類。隨著人工智能強(qiáng)勁推動(dòng) AI 服務(wù)器和存儲(chǔ)芯片發(fā)展，以及集成電路先進(jìn)制程工藝增長(zhǎng)，高端光刻膠需求進(jìn)一步增長(zhǎng)，尤其是在用EUV 技術(shù)生產(chǎn)的芯片的增長(zhǎng)下，EUV光刻膠有望成為最具增長(zhǎng)潛力的細(xì)分市場(chǎng)。

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四、全球半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)由美日主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠商在多領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)突破

半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)壁壘顯著高于PCB光刻膠和LCD光刻膠，集中體現(xiàn)在高純度以及復(fù)雜的生產(chǎn)工藝、巨額的設(shè)備投資、對(duì)關(guān)鍵原材料的高度依賴上，此外，光刻膠高技術(shù)特性使得其質(zhì)量直接影響下游產(chǎn)品的質(zhì)量，產(chǎn)業(yè)有著較高采購(gòu)成本與認(rèn)證成本，行業(yè)客戶壁壘高。

目前全球光刻膠市場(chǎng)主要被美日企業(yè)占據(jù)，頭部廠商包括JSR、東京應(yīng)化、美國(guó)杜邦、信越化學(xué)、住友及富士膠片等，尤其在半導(dǎo)體光刻膠的高端領(lǐng)域中，上述企業(yè)占據(jù)更高的市場(chǎng)比重。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠廠商迎來(lái)機(jī)遇。一方面，中國(guó)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)過(guò)程中加速驗(yàn)證導(dǎo)入本土光刻膠；另一方面，上游半導(dǎo)體光刻膠樹(shù)脂涌現(xiàn)了許多國(guó)產(chǎn)廠商，供給能力有所提高。目前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠企業(yè)在 G/I 線、KrF、ArF 等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)一定量產(chǎn)，未來(lái)隨著技術(shù)壁壘的進(jìn)一步突破，半導(dǎo)體光刻膠國(guó)產(chǎn)替代加速突破。

中國(guó)光刻膠樹(shù)脂主要廠商布局情況

資料來(lái)源：觀研天下整理

全球半導(dǎo)體光刻膠主要廠商布局情況

資料來(lái)源：觀研天下整理（zlj）