一、去膠工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的重要環(huán)節(jié)之一,主要分為濕法與干法兩類(lèi)
根據(jù)觀研報(bào)告網(wǎng)發(fā)布的《中國(guó)半導(dǎo)體去膠設(shè)備行業(yè)發(fā)展深度分析與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告(2025-2032年)》顯示,在半導(dǎo)體制造工藝中,去膠工藝是不可或缺的一環(huán),是光刻工藝中的最后一步,其直接關(guān)系到芯片成品的質(zhì)量與性能。在光刻工藝中,去膠設(shè)備主要用于曝光后將光刻膠從晶圓上移除,以此來(lái)保證晶圓順利進(jìn)入下一步制造步驟。
去膠工藝可分為濕法和干法兩類(lèi)。其中濕法去膠工藝使用溶劑對(duì)光刻膠等進(jìn)行溶解,不適合用于AI、Cu等制程的去膠;干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸,主要通過(guò)等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應(yīng)完成,適用于絕大部分的去膠工藝,是當(dāng)前的主流工藝。
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二、去膠設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備重要的一個(gè)分支,擁有較大的發(fā)展空間
半導(dǎo)體去膠設(shè)備是指在半導(dǎo)體去膠工藝中所涉及到的設(shè)備總稱,是半導(dǎo)體設(shè)備重要的一個(gè)分支。半導(dǎo)體設(shè)備,作為高科技制造領(lǐng)域的關(guān)鍵一環(huán),涵蓋了晶圓制造、封裝測(cè)試等全流程所需的各種精密儀器。這些設(shè)備不僅對(duì)芯片的性能和成本產(chǎn)生直接影響,還是推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的重要基石。
近年來(lái),在下游半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)下,我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模整體擴(kuò)大,并在 2020 年首次成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),銷(xiāo)售額增長(zhǎng) 39%,達(dá)到 187.2億美元。到2023 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 366 億美元,仍然是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。而結(jié)合全球半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展趨勢(shì)、我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代以及下游需求旺盛的多重作用,未來(lái)幾年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)仍將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),保守預(yù)計(jì)2023—2028年,我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將穩(wěn)步提升,保持在15%左右的復(fù)合增長(zhǎng)率,到2028年,我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到655億美元??梢?jiàn),去膠設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備重要的一個(gè)分支,其擁有較大的發(fā)展空間。
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三、半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展帶動(dòng)半導(dǎo)體去膠設(shè)備發(fā)展
半導(dǎo)體去膠設(shè)備與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮狀況緊密相連。近年隨著半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的帶動(dòng),半導(dǎo)體去膠設(shè)備也隨之發(fā)展。當(dāng)今數(shù)字經(jīng)濟(jì)迅速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)作為現(xiàn)代科技與工業(yè)領(lǐng)域的核心基石,對(duì)全球經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展具有深遠(yuǎn)影響,吸引了越來(lái)越多的投資者的關(guān)注。在此背景下,半導(dǎo)體去膠設(shè)備作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要一個(gè)分支,未來(lái)也有著廣闊的發(fā)展空間。
近年來(lái),由于美國(guó)等國(guó)家對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)限制持續(xù)加劇以及終端應(yīng)用需求呈現(xiàn)周期性疲軟態(tài)勢(shì),導(dǎo)致2022-2023年我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模存在不同程度的下降。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2023年我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1552億美元。
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四、晶圓產(chǎn)能不斷擴(kuò)充給去膠設(shè)備帶來(lái)廣闊市場(chǎng)需求
目前去膠設(shè)備主要應(yīng)用在集成電路中的前道芯片制造領(lǐng)域。據(jù)了解,集成電路制造設(shè)備通常可分為前道工藝設(shè)備(芯片制造)和后道工藝設(shè)備(芯片封裝測(cè)試)兩大類(lèi)。其中,前道芯片制造主要包括六大工藝步驟,分別為:熱處理(Thermal Process)、光刻(Photo-lithography)、刻蝕(Etch)、離子注入(Ion Implant)、薄膜沉積(Deposition)、機(jī)械拋光(CMP),所對(duì)應(yīng)的專(zhuān)用設(shè)備主要包括快速熱處理(RTP)/氧化/擴(kuò)散設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕/去膠設(shè)備、離子注入設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、機(jī)械拋光設(shè)備等。
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近年來(lái)隨著下游應(yīng)用市場(chǎng)需求增加,加上各國(guó)貿(mào)易的不穩(wěn)定,全球芯片供需出現(xiàn)失衡,國(guó)內(nèi)晶圓代工企業(yè)接連宣布投資建造或規(guī)劃建設(shè)新產(chǎn)線,以擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能,從而帶動(dòng)了半導(dǎo)體去交設(shè)備市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示,截至2023年12月,我國(guó)內(nèi)地12英寸、8英寸和6英寸及以下的硅晶圓制造線共有210條。12英寸晶圓廠45座,規(guī)劃產(chǎn)能合計(jì)238萬(wàn)片,8英寸晶圓廠34座,規(guī)劃產(chǎn)能合計(jì)168萬(wàn)片,6英寸晶圓廠48座,規(guī)劃產(chǎn)能合計(jì)264萬(wàn)片,5/4/3英寸晶圓廠63座,規(guī)劃產(chǎn)能合計(jì)730萬(wàn)片。
2023年我國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)能分布
廠商 |
地點(diǎn) |
晶圓廠 |
工藝制程 |
尺寸 |
規(guī)劃產(chǎn)能(萬(wàn)片/月) |
中芯國(guó)際 |
上海 |
中芯南方SN1 |
14nm FinFET |
12 |
3.5 |
上海 |
中芯上海S1 Fab1 |
0.35um-90nm |
8 |
13.5 |
|
上海 |
中芯上海S1 Fab2 |
0.35um-90nm |
8 |
— |
|
華虹集團(tuán) |
上海 |
華力一期Fab5 |
65nm/55nm, 40nmLogic,RF, CIS,HV, eNVM |
12 |
4 |
上海 |
華力二期Fab6 |
28nm/22nmLogic, RF, CIS, eNVM |
12 |
4 |
|
上海 |
華虹宏力Fab1 |
1.0 μm-90nm eNVM,Discrete,BCD,Logic/RF,CIS |
8 |
17 |
|
上海 |
華虹宏力Fab2 |
— |
8 |
17.8 |
|
上海 |
華虹宏力Fab3 |
— |
8 |
— |
|
積塔半導(dǎo)體 |
上海 |
Fab6 |
55nm特色工藝先導(dǎo)線(一階段)40/28nm汽車(chē)電子芯片生產(chǎn)線(二階段) |
12 |
5 |
上海 |
Fab5 |
0.35-0.11um,模擬、功率器件 |
8 |
8 |
|
上海 |
Fab3 |
0.5-2.5um BCD,數(shù)模混合 |
8 |
3 |
|
上海 |
Fab2 |
1.0-0.8um BCD, IGBT |
6 |
7 |
|
上海 |
Fab7 |
SiC MOSFET |
6 |
3 |
|
鼎泰匠芯 |
上海 |
— |
0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog |
12 |
3 |
臺(tái)積電 |
上海 |
Fab10 |
0.35-0.18μm CMOS |
8 |
12 |
中芯國(guó)際 |
北京 |
中芯北京B1 Fab4 |
90nm-55nm |
12 |
6.5 |
中芯北方B2 |
65nm-28nm |
12 |
10 |
||
中芯北方B3 |
65nm-28nm |
12 |
— |
||
中芯京城FAB3P1 |
65nm-28nm |
12 |
10 |
||
燕東微 |
北京 |
— |
65nm功率器件、顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理、硅光芯片 |
8 |
5 |
北京 |
— |
90nm 以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCD、MEMS |
8 |
3 |
|
賽微電子 |
北京 |
Fab3 |
0.25um-lum MEMS BAW |
8 |
3 |
中芯國(guó)際 |
深圳 |
中芯深圳G2 Fab16 |
65nm-28nm |
12 |
4 |
深圳 |
中芯深圳G1 Fab15 |
0.35μum-0.15μum |
8 |
7 |
|
方正微 |
深圳 |
Fab1 |
DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC |
6 |
5 |
深圳 |
Fab2 |
DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN,SiC |
6 |
||
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體 |
深圳 |
— |
DMOS、MOSFET、IGBT,FTD, TVS, GaN, SiC |
6 |
4 |
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五、當(dāng)前市場(chǎng)呈現(xiàn)多寡頭壟斷格局,CR5達(dá)到為93.5%
當(dāng)前全球集成電路制造干法去膠設(shè)備領(lǐng)域呈現(xiàn)多寡頭競(jìng)爭(zhēng)的發(fā)展趨勢(shì),行業(yè)CR5在2023年超過(guò) 90%,比思科、屹唐半導(dǎo)體、泰仕半導(dǎo)體、愛(ài)發(fā)科、泛林半導(dǎo)體等為主要參與者。其中屹唐半導(dǎo)體憑借 34.60%的市場(chǎng)占有率位居全球第二,確立了在干法去膠設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)中國(guó)際領(lǐng)先的行業(yè)地位。
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在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上,集成電路制造干法去膠設(shè)備領(lǐng)域同樣也呈現(xiàn)多寡頭競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì),多寡頭競(jìng)爭(zhēng)超過(guò)90%。有數(shù)據(jù)顯示,2022年在我國(guó)干法去膠設(shè)備領(lǐng)域,前五大廠商的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)到93.5%。這一數(shù)據(jù)表明,當(dāng)前我國(guó)干法去膠設(shè)備領(lǐng)域市場(chǎng)高度集中。目前在我國(guó)干法去膠設(shè)備領(lǐng)域里,主要有屹唐半導(dǎo)體、中屹唐半導(dǎo)體等。(WW)

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