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全球半導體存儲器行業(yè)現(xiàn)狀 市場競爭高度集中 中國企業(yè)布局腳步加快

、全球半導體存儲器發(fā)展前景廣闊,其中中國為最大主要市場

觀研報告網(wǎng)發(fā)布的《中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢調(diào)研與投資前景預測報告(2024-2031年)》顯示,半導體存儲器是進行信息存儲的關鍵器件,應用范圍較廣泛,可以應用于多數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,是市場占比較高的基礎性存儲產(chǎn)品。

隨著AI的大規(guī)模普及,半導體行業(yè)市場迎來了新的浪潮,受到大模型時代的高算力、大存儲的現(xiàn)實需求推動,下游市場復蘇疊加AI浪潮驅(qū)動,將GPU及存儲需求迅速提升。

數(shù)據(jù)顯示,2023年全球半導體存儲器市場規(guī)模約為903.7億美元,較上年同比下降35.1%;預計2024年全球半導體存儲器市場規(guī)模達1529億美元,較上年同比增長69.2%。

數(shù)據(jù)顯示,2023年全球半導體存儲器市場規(guī)模約為903.7億美元,較上年同比下降35.1%;預計2024年全球半導體存儲器市場規(guī)模達1529億美元,較上年同比增長69.2%。

數(shù)據(jù)來源:觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

從地區(qū)發(fā)展情況看,隨著半導體產(chǎn)業(yè)鏈向中國轉(zhuǎn)移,中國成為全球半導體存儲器第一大市場,占比接近30%;其次是美國和歐洲,占比16%、12%。

從地區(qū)發(fā)展情況看,隨著半導體產(chǎn)業(yè)鏈向中國轉(zhuǎn)移,中國成為全球半導體存儲器第一大市場,占比接近30%;其次是美國和歐洲,占比16%、12%。

數(shù)據(jù)來源:觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

、半導體存儲器分為兩大類,目前DRAM和NAND Flash市場主流

根據(jù)功能性及使用的主要存儲芯片類型不同,半導體存儲器分為易失性存儲器(簡稱RAM)和非易失性存儲器(簡稱ROM)。

RAM可分為靜態(tài)隨機存儲器(簡稱SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(簡稱DRAM)兩類,SRAM 不需要周期性地刷新,速度比較快,但成本也較高,是利基存儲;DRAM需要周期性地刷新,速度較慢,但成本較低,是大宗存儲。

ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器(簡稱Flash)??扉W存儲器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash,其中NAND 是大宗存儲,NOR 是利基存儲。

ROM主要包括掩膜型只讀存儲器、可編程只讀存儲器、快閃存儲器(簡稱Flash)??扉W存儲器的主流產(chǎn)品為NOR Flash 和NAND Flash,其中NAND 是大宗存儲,NOR 是利基存儲。

資料來源:觀研天下整理

目前全球半導體存儲器以DRAM和NAND Flash為主,總占比達97%,分別占比61%、36%。除得益于技術發(fā)展外,DRAM和NAND Flash分別受存儲容量擴大和存儲成本不斷優(yōu)化驅(qū)動。

目前全球半導體存儲器以DRAM和NAND Flash為主,總占比達97%,分別占比61%、36%。除得益于技術發(fā)展外,DRAM和NAND Flash分別受存儲容量擴大和存儲成本不斷優(yōu)化驅(qū)動。

數(shù)據(jù)來源:觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

全球半導體存儲器行業(yè)競爭高度集中,中國企業(yè)布局腳步加快

全球半導體存儲器行業(yè)競爭高度集中。在DRAM市場中,2023年三星、SK海力士和美光三大巨頭總市場份額達96%,分別占比41.4%、31.7%、22.9%;在NAND Flash市場中,三星、海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和美光五大企業(yè)占據(jù)主導地位,總市場份額接近95%;在NOR Flash市場中,兆易創(chuàng)新等國內(nèi)企業(yè)也在積極布局。

全球半導體存儲器行業(yè)競爭高度集中。在DRAM市場中,2023年三星、SK海力士和美光三大巨頭總市場份額達96%,分別占比41.4%、31.7%、22.9%;在NAND Flash市場中,三星、海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和美光五大企業(yè)占據(jù)主導地位,總市場份額接近95%;在NOR Flash市場中,兆易創(chuàng)新等國內(nèi)企業(yè)也在積極布局。

數(shù)據(jù)來源:觀研天下數(shù)據(jù)中心整理

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與國外企業(yè)相比,中國企業(yè)起步較晚,發(fā)展空間較大。隨著全球化的競爭格局的加劇,中國的半導體存儲器行業(yè)發(fā)展必須更加注重創(chuàng)新和研發(fā),向著高端制造和設計的方向發(fā)展,才能夠在行業(yè)中贏得更大的話語權。

我國半導體存儲器行業(yè)代表企業(yè)布局情況

企業(yè)名稱 布局情況
兆易創(chuàng)新 存儲器方面,公司為大陸存儲芯片龍頭生產(chǎn)商,產(chǎn)品線Nor+NAND+DRAM全覆蓋,其中Nor全球第三、大陸第一。此外,兆易創(chuàng)新是國內(nèi)MCU龍頭。車載存儲龍頭生產(chǎn)商之一,有高速低功耗SRAM,低中密度
北京君正 DRAM,NOR/NANDFlash,嵌入式Flash pFusion,及eMMC等芯片產(chǎn)品。其收購的北京矽成(控股美國ISSI存儲)在汽車DRAM領域,美光占據(jù)45%居全球第一,北京矽成占據(jù)15%居全球第二。
聚辰股份 提供存儲、模擬和混合信號集成電路產(chǎn)品并提供應用解決方案和技術支持服務。公司目前擁有EEPROM、音圈馬達驅(qū)動芯片和智能卡芯片三條主要產(chǎn)品線。
紫光國微 公司存儲器芯片業(yè)務由參股子公司紫光國芯承擔。紫光國芯主要從事存儲器設計開發(fā)、自有品牌存儲器芯片產(chǎn)品銷售,以及集成電路設計開發(fā)、測試服務,建設了完整先進的DRAM存儲器測試分析工程中心,同時擁有世界主流動態(tài)隨機存儲器和閃存存儲器設計開發(fā)技術和經(jīng)驗。
復旦微電 復旦微電的存儲芯片產(chǎn)品線可提供多種接口、各型封裝、全面容量、高性價比的非揮發(fā)存儲器產(chǎn)品,目前主要產(chǎn)品為EEPROM 存儲器、NOR Flash 存儲器和SLC NAND Flash存儲器,具有多種容量、接口和封裝形式,整體市場份額居國內(nèi)前列。
長鑫存儲 一體化存儲器制造商,公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前已建成12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領域。
長江存儲 專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。
普冉股份 公司主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片

資料來源:觀研天下整理(zlj)

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